1、磁阻效应Magnetoresistance Effects是指某些金属或半导体honeywell电流传感器的电阻值随外加磁场变化而变化的现象同霍尔效应一样honeywell电流传感器,磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的在达到稳态时,某速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等,载流子在两端聚集产生霍尔电场,比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转。
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